Objectifs¶

1. Développer une nouvelle chaine électronique numérique, très intégrée, autonome, de faible coût, allant du préamplificateur au traitement des données
2. Elle doit être opérationnelle pour les détecteurs semi conducteurs Ge et Si multi-segmentés
3. Le système fonctionne de façon indépendante pour un cristal multi-segmenté isolé ou intégré dans un système d’acquisition complexe de multi-détecteur
4. Le système d’acquisition doit être assez simple et fiable pour pouvoir être utilisé par des non spécialistes dans des applications de type sociétales telles l’imagerie 3D, la sécurité du territoire, l’imagerie médicale,…

Produits finaux¶

Electronique front-end¶

1. Un ASIC 16 voies pour détecteur Si strip (injection de charges pour restauration de la ligne de base -> dynamique 4 GeV !)
2. Un ASIC 20 voies pour détecteur Ge multi-segmenté (90K, dynamique 0 – 5 MeV)
3. Un préamplificateur Energie Totale froid ou chaud (injection de charges pour restauration de la ligne de base -> dynamique 0 - 20 MeV + fort taux de comptage)
4. Un digitiser 40 voies, 14 bits-200Mhz (commun pour Ge et Si)
5. Pour Ge : un cryostat triple pour test et validation des modules INTENSE

Module Instrumentation¶

1. Module de traitement des données (commun pour Ge et Si)
2. Modules d’infrastructure autonomes spécifiques Ge ou Si
3. Module de basses tensions
4. Module haute tension
5. Module de sécurité du détecteur

Système d’acquisition¶

1. Modulaire pour acquisition individuelle ou dans un système complexe

Equipements finaux¶

1. Un triple cryostat équipé de trois cristaux Ge multi-segmentés et de trois chaînes d’acquisition complètes (ASIC Ge + preampli ET + digitiser + module instrumentation + DAQ/data flow)
2. Un détecteur Si-strip équipé d’une chaîne d’acquisition complète (ASIC Si + digitiser + module instrumentation + DAQ/data flow)

Collaboration INTENSE¶

• IPHC
  • Coordination du projet (G. Duchêne)
  • Développement du cryostat de test et test de tous les modules INTENSE
    *CSNSM
  • Développement du module de traitement des données
  • Développement de l’infrastructure (basses tensions et sécurité du détecteur)
• GANIL
  • Développement du préamplificateur Energie Totale froid ou chaud
  • Test pour détecteurs Si-strip et commissioning global d’INTENSE pour Si
• IPNL
  • Développement et test de l’ASIC Ge froid
• IRFU
  • Développement du cryostat triple et commissioning global d’INTENSE pour Ge
• LPC
  • Développement et test de l’ASIC Si
• LPSC
  • Développement du digitiser
  • Développement de l’infrastructure (haute tension Ge et Si)